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Soluzione per i processi Dry Etch nella produzione di semiconduttori

La risposta rapida ai disturbi di processo è fondamentale considerando i tempi di lavorazione Dry Etch (attacco di reagenti a bassa pressione) di semiconduttori

ProcessoDry Etch

Il Dry etching è noto anche come incisione al plasma ed è il processo di rimozione di materiale semiconduttore dal wafer, mediante la mascheratura delle aree sulla superficie e la radiazione della superficie esposta con ioni. Solitamente questo avviene con gli ioni piuttosto che con il trattamento chimico. Gli ioni sono in genere gas reattivi come ossigeno, boro, fluorocarburi. Attraverso più fasi di incisione, una sostanza mascherante è utilizzata per resistere all’incisione e quindi per proteggere una parte del wafer.

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Le ricette complesse e i tempi di lavorazione ridotti richiedono:
Controllo di temperatura e potenza Eurotherm
Una risposta rapida ai disturbi di processo è fondamentale visti i tempi di lavorazione ridotti dei processi Dry Etch
Il controllo a cascata offre una risposta rapida ai disturbi del processo che contribuisce a massimizzare la produttività
La temperatura del sostrato è fondamentale per la ricetta del processo
Controllo preciso e uniforme della temperatura del sostrato
Lavorazione spesso ad alta temperatura
Il feedback di potenza (V2) di EPack contribuisce a ridurre i consumi energetici
Domanda di wafer sempre più piccoli e di macchine sempre più piccole
Ingombri ridotti usando prodotti compatti e soluzioni di controllo flessibili

Lavorazione Dry Ethc con la soluzione di controllo Eurotherm

Durante il processo, l’ingresso del gas determina disturbi di temperatura. Eurotherm offre una misurazione accurata della temperatura, un controllo preciso del riscaldatore e una risposta ai disturbi della temperatura.

Con il supporto di Eurotherm, le aziende possono gestire il controllo della temperatura di ±1°C durante la fase del processo di raffreddamento dell’elio e di ± 0,5°C per le altre fasi.

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